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FETを取り揃えました。御注文はこちらから

三菱のFET RDシリーズは在庫豊富な当店でどうぞ　即納致します
税込み価格表示です

RD01MUS1、RD06HHF1、RD07MVS1B、RD15HVF1、RD16HHF1、RD60HUF1、RD70HHF1、
2SK49H、2SK61Y、2SK125-4、2SK210、2SK211Y、2SK301、2SK374、2SK507、
2SK571、3SK74M、3SK143、3SK179、3SK199、SPA11N60C3、SPW35N60C3

　取り寄せ可能なFETはこちらから

RD70HHF1

完売　

■ 特　長
ハイパワー: Pout>70W
Typ.=80W
Pin=3W
ハイゲイン: Gp>13dB
効率: 60%
Vdd=12.5V,　周波数=30MHz

HF帯, 50MHzのリニアアンプに最適。
在庫限りです

2SK571MA

GaAsFET
ケース入り
5個で2,000円
残り2セット
写真は10個入りですが5個です

キャビティ用
貫通コンもお勧め
MARUWA　50V 1000pF

単価80円

2SK571M

GaAsFET
バラ品
在庫6個
単価340円

2SK125-4

JFET

完売

■ 特　長

SONYのJFET 2SK125-5
プリアンプ、ミキサーに最適
IDSS 57-75mA

・PG=12.5dB at 100MHz
・NF=1.5dB at 100MHz
・3rd Harmonic distortion = -52dB
・アナログスイッチングRON=40Ω

3SK74M

　完売　
　IC-551のIF段に使用

RD01MUS1

180円　16個

FT-817のドライバです。
テーピング品

■ 特　長
VHF/UHF FET
Pout>0.8W
Typ.=1.4W
Pin=30mW
ハイゲイン: Gp>14dB
効率: 65%
Vdd=7.2V,　周波数=520MHz

RD06HHF1

350円在庫12個
在庫限り大特価

新規入荷
■ 特　長
HFパワーFET
Pout>6W
Typ.=10W
Pin=0.15W
ハイゲイン: Gp>16dB
効率: 65%
Vdd=12.5V,　周波数=30MHz

RD07MVS1B

570円在庫0個

FT-817のファイナルです。

■ 特　長
High power gain:
Pout>7W, Gp>10dB
@Vdd=7.2V,f=520MHz

f=175MHz , VDD=7.2V
Pin=0.3W,Pout=8W

f=520MHz , VDD=7.2V
Pin=0.7W,Pout=8W

RD15HVF1

完売

人気商品
■ 特　長
VHFパワーFET
Pout>15W
ハイゲイン: Gp>14dB
Vdd=12.5V,　周波数=175MHz

430MHzで使用可能のようです。
Pout>15W
ハイゲイン: Gp>7dB
Vdd=12.5V,　周波数=520MHz

RD16HHF1

完売

人気商品
■ 特　長
HFパワーFET
Pout>16W
Typ.=19W
Pin=0.4W
ハイゲイン: Gp>16dB
効率: 65%
Vdd=12.5V,　周波数=30MHz

RD60HUF1

UHFパワーFET

取り寄せ品

■ 特　長
ハイパワー: Pout>60W
ハイゲイン: Gp>7.7dB
効率: 55%
Vdd=12.5V,　周波数=520MHz

435MHz帯のアンプの製作記　

2SK49H

100円　在庫 10個

○FMチューナ、VHF帯増幅用
・Nチャネル接合形
・帰還容量が小さい。
　：Crss＝0.07pF（Typ.）
・低雑音です。
　：NF＝3.5dB（Typ.）（f=100MHz）
・IC-551のIF段に使用されています

2SK61Y

JFET

100円　在庫 55個

■ 特　長
○FMチューナ、VHF帯増幅用、東芝製

・電力利得が大きい。18dB （f=100MHz）
・帰還容量が小さい。：Crss＝0.1pF（Typ.）
・低雑音です。：NF＝2.5dB（Typ.）（f=100MHz）

2SK210-GR

100円　在庫 153個

■ 特　長
○FMチューナ、VHF帯増幅用

･電力利得が大きい。
: Gps = 24dB (標準) (f = 100 MHz)
･雑音指数が小さい。
: NF = 1.8dB (標準) (f = 100 MHz)
･順方向伝達アドミタンスが大きい。
: |Yfs| = 7 mS (標準) (f = 1 kHz)

2SK211Y

100円　在庫 78個

■ 特　長
○FMチューナ、VHF帯増幅用

･雑音指数が小さい。
: NF = 2.5dB (標準) (f = 100 MHz)
･順方向伝達アドミタンスが大きい。
: |Yfs| = 9 mS (標準) (f = 1 kHz)

2SK301

100円　在庫 1個

■ 特　長
シリコンNチャネル接合形
○ 低周波低雑音増幅用
・高|Yfs|のため高利得が得られます。
：|Yfs| = 15 mS (標準) (VDS = 10 V, VGS = 0)
・高耐圧です。 : VGDS = －50 V
・超低雑音です。
NF = 1.0 dB (標準) (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA,
f = 1 kHz, = 1 kΩ)
・高入力インピーダンスです。
IGSS = －1 nA (最大) (VGS = 30 V)

2SK374

100円　在庫 48個

■ 特　長
Silicon N-Channel Junction FET
For low-frequency amplification
For switching

・Low noise-figure (NF)
・High gate to drain voltage VGDO
・Mini-type package